КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Механизм рекомбинации и основные характеристики рекомбинационного процесса
В зависимости от механизма отвода высвобождается энергия, тогда говорят об излучательной или безизлучательной рекомбинации. Если энергия, освобождается при рекомбинации, тогда говорят бо излучательной рекомбинации.
Происходит этот процесс в светодиодах. Излучательная рекомбинация может происходить только в прямозонных полупроводниках. К таким полупроводникам относят:GaAs – арсенид галлия, полупроводники группы A3B5 –InSb. Энергетическая диаграмма в производстве квазиимпульсов:
Характеристическая особенность: одинаковое к для экстремумов с и V- зоны:
У прямолинейных полупроводников → изменение волнового числа (квазиимпульсов) нужно участие третьей частицы.
Этот процесс является безизлучательным:
При безизлучательной рекомбинации энергия передается кристаллической решетке. Рассмотрим основные характеристики рекомбинационного процесса: 1. сечение захвата для электрона или дырки: δп и δр 2. эффективная площадь круга, прохождение которой перпендикулярна своему движению, электрон может оказаться захваченным дыркой 3. тепловая скорость для электрона и дырки vп и vр. Среднее время жизни электрона: δп – сечение захвата; vп – тепловая скорость; p – концентрация дырок, с которой идет рекомбинация. 4. концентрация дырок 5. коэффициент захвата: γп = δп νп. Если имеем донорный центр: δп>δр Для акцепторных: δр>δп
Рекомбинационные центры: простые и сплошные. Простые имеют 1 энергетический уровень в запрещенной зоне и простой рекомбинационный центр может находиться в двух зарядовых состояниях.
(многозарядные дефекты)
Сложные центры – несколько уровней в запрещенной зоне п/п. К ним относятся Au в Ge и Si, Cu, Ni, Fe, Ag. Au в Ge может находиться в 5 зарядовых состояниях (+1; 0; -1; -2; -3). Составляет 4 уровня в запрещенной зоне(2 глубоких, 2 мелких).
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 481; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |