КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Варикап и варактор
Туннельный диод -это полупроводниковый приборв которомтуннельный эффектприводит к появлению на характеристике при прямом включенииучасткаотрицательной дифференциальной проводимости. Туннельный диод Рис. 7.3 УГО
Для изготовления туннельных диодов используют полупроводниковый материал с очень высокой концентрацией примесей (1018..-1020 см3). Следствием высокой концентрации примесей в прилегающих к p-n переходу областях является малая толщина перехода (около 10-2 мкм), т. е. примерно на два порядка меньше, чем в других полупроводниковых диодах. В тонких переходах – высокая величина электрического поля (перекрытие валентной зоны в p области с зоной проводимости n области) и, следовательно, возможна вероятность туннелирования носителей заряда.
Рис. 7.4 Формирование ВАХ туннельного диода (зонные диаграммы)
При увеличении прямого напряжения прилагаемого к переходу уменьшается степень перекрытия валентной зоны и зоны проводимости и, одновременно уменьшается величина потенциального барьера.
Туннельный диод обладает областью с отрицательным дифференциальным сопротивлением (проводимостью) на прямой ветви ВАХ (рис. 7.4). Используется в СВЧ технике для генерации и усиления сигналов
Рис. 7.5 УГО Варикап — это полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании зависимости емкости перехода от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.
Варикап, работающий при закрытом p-n переходе, применяется для частотной модуляции и электрической перестройки частоты.
Дата добавления: 2014-01-20; Просмотров: 1289; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |