Пояснения. Входными характеристиками транзистора при включении с ОЭ являются зависимости тока базы от напряжения между ней и эмиттером при постоянных напряжениях на

Входными характеристиками транзистора при включении с ОЭ являются зависимости тока базы от напряжения между ней и эмиттером при постоянных напряжениях на коллекторе (рис. 33, а): I_Б = f(U_БЭ) при U_КЭ = const.

Выходные характеристики (рис. 34, б) представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между ним и эмиттером при постоянных токах базы: I_К = f(U_КЭ) при I_Б = const.

В режиме усиления малых сигналов транзистора включённый с ОЭ, эквивалентно представляют в виде линейного четырёхполюсника (рис. 34), входные и выходные параметры которого связаны следующими уравнениями:

U_БЭ = h_11Э I_Б + h_12Э U_КЭ

I_К = h_21Э I_Б + h_22Э U_КЭ

Рассчитывают h - параметры для схем с ОЭ по формулам:

h_11Э = U_БЭ/ I_Б при U_КЭ = const; (7)

h_12Э = U_БЭ/ U_КЭ при I_Б = const; (8)

h_21Э = I_К/ I_Б при U_КЭ = const; (9)

h_22Э = I_К/ U_КЭ при I_Б = const. (10)

Для определения h_11Э проводят через рабочую точку А(р. т), касательную к входной характеристике, и строят треугольник ВСD (рис. 35,а). Тогда, согласно формуле (7):

h_11Э = BD/CD = U_БЭ/ I_Б

Для определения h_12Э выбирают две входные характеристики, снятые при двух значениях напряжений между коллектором и эмиттером (рис. 35, б), и проводят через А(р. т) линию I_Б = const, соответствующую холостому ходу на входе транзистора. Затем точки пересечения этой линии с характеристиками проецируют на ось U_БЭ, определяют U_КЭ = U_КЭ2 - U_КЭ1, находят U_БЭ и рассчитывают h_12Э по формуле (8).

Для определения h_21Э семейство выходных характеристик вблизи А(р. т) пересекают линией U_КЭ = const (рис. 35, в), что соответствует короткому замыканию на выходе транзистора. Затем по формуле (9) рассчитывают h_21Э, определив графически I_К и I_Б как разность I_Б2 - I_Б1.

Для определения h_22Э выбирают из семейства выходную характеристику, снятую при I_{Б р.т.}. Находят приращение тока коллектора I_К, вызванное приращением напряжения U_КЭ на нем при постоянном токе базы (рис. 35, г), и по формуле (10) рассчитывают h_22Э.

Рабочая точка транзистора в схеме с ОЭ характеризуется следующими параметрами: I_{Б р.т.}, U_{БЭ р. т.}, I_{К р. т.} и U_{КЭ р. т.}.

Рис. 32.

Рис. 33.

Рис. 34.

Рис. 35.

Дата добавления: 2015-05-06