Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Устройство и работа прибора




 

В основе работы прибора лежит метод ЭОС с растровой разверткой электронного пучка.

Прибор позволяет:

- проводить исследования химического и элементного состава в точке поверхности исследуемого образца;

- получать информацию о распределении химических элементов по поверхности объекта;

- проводить обработку поверхности объекта с использованием методов электронной и ионной бомбардировок, прямонакального прогрева.

При исследовании химического и элементного состава в точке поверхности объекта для выделения пиков групп оже-электронов (оже-пиков) в приборе используется метод электрического дифференцирования кривой энергетического распределения вторичных электронов, испускаемых поверхностью под воздействием падающего электронного пучка, путем гетеродинного преобразования тока этих электронов.

Исследование поверхности объекта, устанавливаемого в держатель манипулятора МВН-100, производиться в условиях сверхвысокого вакуума в основной камере сверхвысоковакуумной установки.

Формирование падающего электронного пучка осуществляется электронной пушкой, встроенной в анализатор, или электронной пушкой, расположенной на отдельном фланце в основной камере. Питание прямонакального катода и высокопотенциальных электродов пушек осуществляется от стабилизатора тока накала оже-пушки и блока питания оже-пушки, питание пластин — от блока сканирования или блока питания оже-пушки.

При питании от блока сканирования, на отклоняющие пластины работающей пушки подается пилообразное относительно постоянного уровня напряжение телевизионного стандарта разложения, что обеспечивает растровую развертку электронного пучка по поверхности объекта.

Ток в цепи объекта, т. е. поглощенных объектом электронов, усиливается в тракте видеоусиления ТВ-монитора и создает изображение объекта на экране электронно-лучевой трубки (ЭЛТ) методом яркостной модуляции (изображение в поглощенных электронах). Установка электронного пучка в выбранной рабочей точке осуществляется регулировкой с блока постоянного уровня напряжения и уменьшением амплитуды пилообразного напряжения до нуля.

При питании от блока питания оже-пушки на отклоняющие пластины подается напряжение постоянного тока. Перемещение электронного пучка осуществляется с помощью ручной регулировки напряжения на пластинах.

Для регистрации оже-электронов (снятия оже-спектра) на внешний цилиндр дисперсионного энергетического анализатора типа «цилиндрическое зеркало» подается с блока развертки линейно-изменяющееся напряжение (ЛИН), промодулированное напряжением синусоидальной формы (напряжением модуляции) с блока регистрации. При напряжениях на внешнем цилиндре, когда происходит изменение количества проходимых через анализатор вторичных электронов (например, за счет появления оже-электронов, упруго-отраженных электронов и т. п.), на входе блока регистрации появляется сигнал вторичных электронов, промодулированный сигналом с частотой, равной частоте модуляции.

Амплитуда модулированного сигнала зависит от степени изменения тока вторичных электронов, фаза — от характера изменения тока (увеличения или уменьшения). Далее модулированный сигнал в блоке регистрации выделяется с помощью избирательного LC контура, усиливается, синхронно детектируется и в виде напряжения постоянного тока, пропорционального дифференциалу оже-пика, поступает на входы устройства отображения информации (видеоконтрольного устройства) и графопостроителя зависимостей Н306 (клеммы координаты Y). Для обеспечения записи информации с блока развертки в видеоконтрольное устройство подается сигнал, несущий информацию о текущем значении развертки выходного напряжения в двоично-десятичном коде, из которого в устройстве формируется потенциал записи, а на клемму X графопостроителя — напряжение, пропорциональное ЛИН.

С целью уменьшения времени регистрации и воздействия электронного пучка на объект, в блоке развертки предусмотрена возможность формирования развертки на различных, заранее выбранных участках диапазона выходного напряжения.

В приборе предусмотрен режим автоматической регистрации оже-пиков. Это достигается путем автоматического уменьшения скорости развертки напряжения с блока развертки с максимальной до заданной, на время появления в тракте регистрации промодулированного сигнала вторичных электронов.

Питание используемого в качестве коллектора анализатора ВЭУ осуществляется от блока питания анализатора, через выносной предварительный усилитель блока регистрации.

Получение информации о распределении химических элементов по поверхности объекта обеспечивается настройкой энергетического анализатора на энергию определенного оже-пика для данного элемента, сканированием электронного пучка в растре и записью на экране ЭЛТ ТВ-монитора методом яркостной модуляции зависимости выходного напряжения тракта регистрации прибора от положения электронного пучка на поверхности (изображение в оже-электронах).

Настройка анализатора на энергию определенного оже-пика осуществляется подачей с блока развертки на внешний цилиндр анализатора напряжения значения, соответствующего максимуму сигнала этого оже-пика с блока регистрации.

Для обработки поверхности исследуемого объекта используется электронная и ионная бомбардировки в предварительной камере, в основной камере — ионная бомбардировка.

Для обработки поверхности путем электронной бомбардировки служит электронная пушка. Для обеспечения режима ионной бомбардировки поверхности объекта в камеру, где работает ионная пушка, через специальные натекатели сверхвысоковакуумной установки поступает инертный газ, который ионизируется в ионизаторе пушки. Для управления положением ионного пучка на поверхности объекта, питание пластин может осуществляться от блока питания ионной пушки или, для обеспечения санирования пучка, от блока сканирования.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-09; Просмотров: 452; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.