Епітаксіальний метод

Проривом в області епітаксіально вирощених наноструктур було відкриття режимів росту, які сприяли утворенню напівпровідникових острівків нанометрового розміру на відповідних підкладках. Ці острівки, що поводяться як квантові точки, отримуються епітаксіальним ростом тонкого шару матеріалу з малим значенням забороненої зони на матеріалі з більш високим значенням забороненої зони при використанні методів МПЕ () або . На контактах існує значне розузгодження решіток (1-8%), як у випадку на та на . У процесі росту спочатку формується напружена плівка, яку називають „змочувальним шаром”. Максимальна товщина цього шару пов’язана з різницею між сталими гратки двох матеріалів. Після цієї критичної товщини спостерігається перехід у режимі росту із спонтанним утворенням нанометрових острівків (режим Странского-Крастанова), що призводить до часткового зняття напруги. Якщо ріст не переривати на цьому етапі, то формуються дислокації неузгодження через те, що енергія утворення цих дефектів стає меншою, ніж пружна енергія, акумульована у напруженій плівці. Утворення дислокацій в епішарах з високою напруженістю (коли неузгодження решіток є порядку 10% або більше) перед утворенням острівків обмежує область можливих матеріалів підкладок при виготовленні острівків. Форму острівців можна контролювати умовами росту. Звичайно острівці мають форму зрізаної піраміди, але можливо формувати кільцеподібні квантові точки. Кінцевий етап полягає у рості (нарощуванні) на вершину острівців декількох шарів матеріалу підкладки так, що точки повністю занурені і границі розділу пасивовані. Співвідношення заборонених зон створює утримуючий потенціал для носіїв заряду, що акумулюються всередині квантових точок. Крім того, поля напруги поблизу границь поділу острівок-підкладка завдяки розузгодженню граток між двома матеріалами утворюють потенціали, які модифікують заборонену зону квантових точок на дні острівця. Дірки імовірніше будуть локалізуватися у цій області, оскільки вони важчі за електрони [7].

Самоорганізовані квантові точки можуть мати діаметр до кількох нанометрів, і тому у таких системах можуть спостерігатися сильно виражені квантові ефекти. Самоорганізовані квантові точки досліджувалися переважно з використанням оптичної або ємнісної спектроскопії у режимі, коли вони містять малу кількість носіїв заряду. На вимірювання ансамблів суттєво впливає неоднорідне уширення спектроскопічних особливостей. Але останнім часом стало можливим досліджувати кілька самоорганізованих квантових точок або навіть одиничні квантові точки шляхом зменшення числа квантових точок за допомогою мезотравлення або при використанні методу конфокальної мікроскопії. Фотолюмінесценція з окремої самоорганізованої квантової точки є високоефективним процесом, що характеризується декількома вузькими емісійними лініями, пов’язаними з різними екситонними станами у точках, і нагадує емісію з атомів. Як вже згадувалося для випадку літографічно отриманих квантових точок, можна провести багато паралелей між атомами та квантовими точками. По цих причинах квантові точки часто називають також штучними атомами. Сучасні дослідження зосереджені на впорядкування та розміщенні квантових точок, а також на проблемі зменшення їх розподілу по розмірах. На відміну від літографічно отриманих квантових точок виготовити електричний контакт до самоорганізованих точок є серйозною проблемою, тому найширше вони можуть застосовуватися в оптиці. Однією з головних цілей досліджень самоорганізованих квантових точок є виготовлення некласичних джерел світла з одиничних точок. Іншим можливим застосуванням є оптичні пристрої пам’яті [6].

Дата добавления: 2014-01-04