КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Устройство и основные физические процессы биполярного транзистора
Маркировка и система обозначений тиристоров
Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный материал: Г, или 1, - германий; К, или 2, - кремний; А, или 3, - арсенид галлия. Второй элемент (буква) – вид прибора: Н – диодный тиристор (динистор); У – триодный тиристор (тринистор). Третий элемент (число) – основные функциональные возможности и номер разработки: От 101 до 199 – диодные и не запираемые триодные тиристоры малой мощности (Iос ср < 0,3,Iос ср – средний ток в открытом состоянии); От 201 до 299 – диодные и не запираемые триодные тиристоры средней мощности Iос ср от 0,3 до 10 А; От 301 до 399 – триодные запираемые тиристоры малой мощности Iос ср менее 0,3 А; От 401 до 499 – триодные запираемые тиристоры средней мощности Iщс ср от 0,3 до 10 А; От 501 до 599 – симметричные не запираемые тиристоры малой емкости Iос ср менее 0,3 А; От 601 до 699 – симметричные не запираемые тиристоры средней мощности Iос ср от 0,3 до 10 А.
ГОСТ 20859.1 – 89. Первый элемент (буква), обозначающий вид прибора: Т – тиристор; ТЛ – лавинный тиристор; ТС – симметричный тиристор (симистор); ТО – оптотиристор; ТЗ – запираемый тиристор; ТБК – комбинированно выключаемый тиристор; ТД – тиристор – диод. Втрой элемент – буква, обозначающая подвид тиристора по коммуникационным характеристикам: Ч – высокочастотный (быстро включающийся тиристор; Б – быстродействующий; И – импульсный тиристор. Третий элемент – цифра от 1 до 9, обозначающая порядковый номер разработки. Четвертый элемент – цифра от 1 до 9, обозначающая классификационный размер корпуса прибора; Пятый элемент – цифра от 1 до 9, обозначающая конструктивное исполнение. Шестой элемент – число, равное значению максимально допустимого среднего тока в открытом состоянии для тиристоров, лавинных тиристоров, оптотиристоров, комбинированно включаемых тиристоров, максимально допустимого импульсного тока для импульсных тиристоров, максимально допустимого действующего тока для симисторов и импульсного тока для запираемых тиристоров. Для тиристоров - диодов шестой элемент состоит из дроби, в числителе которой – значение максимально допустимого среднего тока в открытом состоянии, а в знаменателе – значение максимально допустимого среднего тока в обратном проводящем состоянии.
Седьмой элемент – буква Х для приборов с обратной полярностью (основание корпуса – катод). Восьмой элемент – число, обозначающее класс по повторяющемуся импульсному напряжению в закрытом состоянии (сотни вольт). Девятый элемент – группа цифр, обозначающая сочетание классификационных параметров. Пример: ТЛ 175 – 320 – 10 - 6
Глава 4. Биполярные транзисторы (БТ) Биполярный транзистор (БТ) – ПП с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции не основных носителей заряда. Резкое увеличение диффузии ОН через переход, при котором в каждую из областей вводятся дополнительные НЗ, являющиеся для нее НН, называется инжекцией (прямое включение p-n перехода). Снижение диффузии ОН, при котором в каждую область вводится небольшое количество НЗ, являющиеся для нее ОН, называется экстракцией. Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый кристалл, имеющий три области с чередующимся типом проводимости. Две крайние области имеют одинаковый тип проводимости, а средняя, находящаяся между ними, - противоположный. Согласно структуре существуют транзисторы структур p-n-p и n-p-n (рис.15 и 16)
.
Концентрация ОН в трех областях различна по своей величине. В соответствии с концентрацией ОН и процессами, происходящими в транзисторе, области называют эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К), таким образом, создаются два p-n перехода: эмиттерный (ЭП) – между эмиттером и базой и коллекторный (КП) – между коллектором и базой. При использовании транзисторов в качестве элементов схем к каждому его p-n переходу подключается внешнее постоянное напряжение, смещающее переход в том или ином направлении. Имеются три основных режима работы транзисторов: - активный, когда эмиттерный переход смещают в прямом направлении, а коллекторный – в обратном ((рис.17); - насыщения, когда оба перехода смещены в прямом направлении; - отсечки, когда оба перехода смещены в обратном направлении.
Рис. 17 Схема включения БТ по схеме с общей базой в активном режиме При этом через p-n переходы протекают токи, которые находятся межу собой в следующих соотношениях как показано на энергетической диаграмме (рис.18): Iэ = Iк + Iб; Iб << Iк; Iэ = Iк.
Рис. 18 Энергетическая диаграмма распределения носителей зарядов БТ в активном режиме Выводы 1. Биполярный транзистор (БТ) – ПП с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции не основных носителей заряда. 2. При прямом включении p-n перехода возникает явление инжекции. 3. При обратном включении p-n перехода возникает явление экстракции. 4. При использовании транзисторов в качестве элементов схем к каждому его p-n переходу подключается внешнее постоянное напряжение, смещающее переход в том или ином направлении. 5. Биполярный транзистор может работать в трех режимах: активном, насыщения и отсечки.
Контрольные вопросы 1. Для чего предназначен биполярный транзистор? 2. Какова структура биполярного транзистора? 3. Как должны быть подключены внешние источники питания для активного режима, режима отсечки, режима насыщения? 4. В каком соотношении находятся величины токов, протекающих через p-n переходы?
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 543; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |