Параметры диода

1. Статическое сопротивление

I

R_ст==ctg, т.е. отношение напряжения к току в заданной точке ВАХ. Может быть только положительным.

	UE

2. Дифференциальное (динамическое) сопротивление

r_д= , т.е. отношение бесконечно малого приращения напряжения к соответствующему приращению тока. Может быть отрицательным в случае тунельного диода.

3. При работе на высоких частотах и в импульсных режимах работы проявляется емкость p-n перехода. С_д=С_диф+С_зар+С_корп

С_диф – диффузионная емкость возникает из-за изменения количества дифундируемых и, вызванных изменениями прямого напряжения.

С_диф=; С_диф=, где

- время жизни дырок

4. С_зар (или барьерная) возникает при обратном напряжении на переходе и изменением объемного заряда.

С_зар=

т.о. С_д=С_корп+С_диф – прямое включение

С_д=С_корп+С_зар – обратное включение

Эквивалентная схема диода

R_пер – сопротивление перехода

R_Б – сопротивление базы

C_пер – емкость перехода

C_К – емкость базы

Дата добавления: 2014-01-06