Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

При включении с общим эмиттером




Выходные характеристики транзистора

 

. Рассмотрим выходную характеристику при Iб=0.

так как Iб=0, то по первому закону Кирхгофа IК= IЭ.


Если Iб отличен от нуля, то:

 

При Uэк >0 и разорванной цепи базы, начальный ток количественного перехода Iко понижает заряд базы, что вызывает поток дырок через эмиттерный переход. Этот поток делится на 2 составляющие: 1) αIэ транзитом проходит в коллектор, а меньшая составляющая (1-α)Iэ рекомбинируется с электронами базы. Первая составляющая не вызывает изменения заряда базы, так как сколько дырок приходит, столько же и уходит; 2) вторая составляющая увеличивает заряд базы, так как после рекомбинации электронов базы с дырками эмиттера в базе остаются некомпенсированный положительные ионы. Состояние динамического равновесия устанавливается тогда, когда действие Iко уравновешивается действием (1-α)Iэ, в соотношении (1), которое при Iб=0 и Iк=Iэ принимает вид (2), где Iко’ – начальный ток коллектора в схеме с ОЭ. Таким образом, выходная характеристика транзистора при Iб=0 повторяет как бы обратную ветвь ВАХ коллекторного перехода, ординаты которой увеличиваются в раз.

При Iб отличного от нуля условие динамического равновесия зарядов в базе принимает вид (3), которое после подстановки (4) и некоторых преобразований записывается как (5), здесь - коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ. При уменьшении Uэк ток коллектора уменьшается сначала незначительно, а при Uэк приблизительно равном Uэб резко падает, поясним это:
по второму закону Кирхгофа:

Uэб + Uбк = Uэк => Uбк = Uэк- Uэб

Пока Uбк>0, т.е. Uэк>Uбк до тех пор поле коллектора перехода является ускоряющим для неосновных носителей, и транзистор функционирует нормально. Как только это поле меняет знак (Uэк<Uэб) нарушается функционирование транзистора, и ток резко падает.

При Uэк=0 в коллекторной цепи в отрицательном направлении протекает ток ≈Iб.

Рассмотрим выходную характеристику при Iб=-Iко, её можно снять, поставить закоротку между эмиттером и базой.

 

При этом эмиттерный переход зашунтирован и в коллекторной цепи протекает ток Iко в базовой цепи.

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 399; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.